Name: IPD30N08S2L21ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD30N08S2L21ATMA1TR-ND
Price: 1.01655 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPD30N08S2L21ATMA1
DigiKeyn tuotenumero	IPD30N08S2L21ATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) IPD30N08S2L21ATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) IPD30N08S2L21ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPD30N08S2L21ATMA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
Valmistajan vakio toimitusaika	9 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 75 V 30A (Tc) 136W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TO252-3-11
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPD30N08S2L21ATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	OptiMOS™
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	75 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	30A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	20,5mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2V @ 80µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	72 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1650 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	136W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-TO252-3-11
Pakkaus / kotelo	TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
Päätuotenumero	IPD30N08