Name: IPD11DP10NMATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD11DP10NMATMA1TR-ND
Price: 2.2088 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPD11DP10NMATMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IPD11DP10NMATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IPD11DP10NMATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IPD11DP10NMATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPD11DP10NMATMA1
Kuvaus	TRENCH >=100V PG-TO252-3
Valmistajan vakio toimitusaika	26 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 100 V 3,4A (Ta), 22A (Tc) 3W (Ta), 125W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TO252-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPD11DP10NMATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	OptiMOS™
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	P-kanava
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	100 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	3,4A (Ta), 22A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	111mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 1,7mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	74 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	3200 pF @ 50 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	3W (Ta), 125W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-TO252-3
Pakkaus / kotelo	TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
Päätuotenumero	IPD11D