Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPB120N03S4L03ATMA1
DigiKeyn tuotenumero	IPB120N03S4L03ATMA1-ND - Rullattu teippi (TR)
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPB120N03S4L03ATMA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 30 V 120A (Tc) 79W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TO263-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	OptiMOS™
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR)
Osan tila	Vanhentunut
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	30 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	120A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,2V @ 40µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	72 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±16V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	5300 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	79W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-TO263-3
Pakkaus / kotelo	TO-263-3, D2PAK (2 jalkaa + juotoskohta), TO-263AB
Päätuotenumero	IPB120