Name: IPB022N12NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB022N12NM6ATMA1TR-ND
Price: 7.4296 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IPB022N12NM6ATMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IPB022N12NM6ATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IPB022N12NM6ATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IPB022N12NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IPB022N12NM6ATMA1
Kuvaus	TRENCH >=100V
Valmistajan vakio toimitusaika	23 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 120 V 29A (Ta), 167A (Tc) 3,8W (Ta), 395W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TO263-3-2
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IPB022N12NM6ATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	OptiMOS™ 6
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	120 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	29A (Ta), 167A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	8V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	2,2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3,6V @ 275µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	141 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	11000 pF @ 60 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	3,8W (Ta), 395W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-TO263-3-2
Pakkaus / kotelo	TO-263-3, D2PAK (2 jalkaa + juotoskohta), TO-263AB