Name: ISC030N12NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC030N12NM6ATMA1TR-ND
Price: 5.55965 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

ISC030N12NM6ATMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-ISC030N12NM6ATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-ISC030N12NM6ATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-ISC030N12NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	ISC030N12NM6ATMA1
Kuvaus	OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Valmistajan vakio toimitusaika	52 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 120 V 21A (Ta), 194A (Tc) 3W (Ta), 250W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TSON-8-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	OptiMOS™ 6
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	120 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	21A (Ta), 194A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	8V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	3,04mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3,6V @ 141µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	74 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	5500 pF @ 60 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	3W (Ta), 250W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-TSON-8-3
Pakkaus / kotelo	8-PowerTDFN
Päätuotenumero	ISC030N