Name: IMZC120R034M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZC120R034M2HXKSA1-ND
Price: 12.1233 EUR
Availability: OutOfStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IMZC120R034M2HXKSA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IMZC120R034M2HXKSA1-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IMZC120R034M2HXKSA1
Kuvaus	SICFET N-CH 1200V 55A TO247
Valmistajan vakio toimitusaika	26 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1200 V 55A (Tc) 244W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO247-4-17
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IMZC120R034M2HXKSA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	CoolSiC™ G2
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	SiCFET (piikarbidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	1200 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	55A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	15V, 18V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	34mOhm @ 20A, 18V
Vgs(th) (maks.) @ Id	5,1V @ 6,4mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	45 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+23V, -7V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1510 pF @ 800 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	244W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	PG-TO247-4-17
Pakkaus / kotelo	TO-247-4