Name: IMZC120R026M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZC120R026M2HXKSA1-ND
Price: 18.7748 EUR
Availability: OutOfStock

N-kanavatyyppi 1200 V 69A (Tc) 289W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO247-4-17

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IMZC120R026M2HXKSA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IMZC120R026M2HXKSA1-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IMZC120R026M2HXKSA1
Kuvaus	SICFET N-CH 1200V 69A TO247
Valmistajan vakio toimitusaika	69 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1200 V 69A (Tc) 289W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO247-4-17
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IMZC120R026M2HXKSA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 25mOhm @ 27A, 18V
Valm. Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) @ Id 5,1V @ 8,6mA
Sarja CoolSiC™ G2	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 60 nC @ 18 V
Pakkaustapa Putki	Vgs (maks.) +23V, -7V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 1990 pF @ 800 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 289W (Tc)
Teknologia SiCFET (piikarbidi)	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 1200 V	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 69A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus PG-TO247-4-17
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 15V, 18V	Pakkaus / kotelo TO-247-4