448~P/PG-TO247-4-17~~4
Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.
448~P/PG-TO247-4-17~~4
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMZC120R022M2HXKSA1

DigiKeyn tuotenumero
448-IMZC120R022M2HXKSA1-ND
Valmistaja
Valmistajan tuotenumero
IMZC120R022M2HXKSA1
Kuvaus
SICFET N-CH 1200V 80A TO247
Valmistajan vakio toimitusaika
26 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus
N-kanavatyyppi 1200 V 80A (Tc) 329W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO247-4-17
Tekniset tiedot
 Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit
IMZC120R022M2HXKSA1 -mallit
Tuotteen ominaisuudet
Tyyppi
Kuvaus
Valitse kaikki
Kategoria
Valm.
Sarja
Pakkaustapa
Putki
Osan tila
Aktiivinen
FET-tyyppi
Teknologia
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)
1200 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)
15V, 18V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
22mOhm @ 32A, 18V
Vgs(th) (maks.) @ Id
5,1V @ 10,1mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs
71 nC @ 18 V
Vgs (maks.)
+23V, -7V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds
2330 pF @ 800 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (maks.)
329W (Tc)
Toimintalämpötila
-55°C – 175°C (TJ)
Luokka
-
Hyväksyntä
-
Asennustyyppi
Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus
PG-TO247-4-17
Pakkaus / kotelo
Tuotteita koskevat kysymykset ja vastaukset

Katso, mitä suunnittelijat kysyvät, tee kysymyksiä ja auta toisia DigiKeyn suunnitteluyhteisössä

Varastossa: 45
Tutustu myös saapuviin tuotteisiin
Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR
Putki
Määrä Yksikköhinta Yhteensä
113,30000 €13,30 €
308,18667 €245,60 €
1207,25133 €870,16 €
Valmistajien vakiokoko
Huomaa: DigiKeyn lisäarvopalveluista johtuen pakkaustyyppi voi muuttua, kun tuotetta ostetaan vakiokokoa pienempiä määriä.
Yksikköhinta ilman ALV-veroa:13,30000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:16,69150 €