N-kanavatyyppi 1200 V 80A (Tc) 329W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO247-4-17
Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.
N-kanavatyyppi 1200 V 80A (Tc) 329W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO247-4-17
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMZC120R022M2HXKSA1

DigiKeyn tuotenumero
448-IMZC120R022M2HXKSA1-ND
Valmistaja
Valmistajan tuotenumero
IMZC120R022M2HXKSA1
Kuvaus
SICFET N-CH 1200V 80A TO247
Valmistajan vakio toimitusaika
69 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus
N-kanavatyyppi 1200 V 80A (Tc) 329W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO247-4-17
Tekniset tiedot
 Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit
IMZC120R022M2HXKSA1 -mallit
Tuotteen ominaisuudet
Näytä samankaltaiset tuotteet
Näytä tyhjät attribuutit
Kategoria
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
22mOhm @ 32A, 18V
Valm.
Vgs(th) (maks.) @ Id
5,1V @ 10,1mA
Sarja
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs
71 nC @ 18 V
Pakkaustapa
Putki
Vgs (maks.)
+23V, -7V
Osan tila
Aktiivinen
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds
2330 pF @ 800 V
FET-tyyppi
Tehohäviö (maks.)
329W (Tc)
Teknologia
Toimintalämpötila
-55°C – 175°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)
1200 V
Asennustyyppi
Läpivientiaukko
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C
Valmistajan laitepakkaus
PG-TO247-4-17
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)
15V, 18V
Pakkaus / kotelo
Ympäristö- ja vientiluokitukset
Tuotteita koskevat kysymykset ja vastaukset
Lisäresurssit
Varastossa: 841
Tutustu myös saapuviin tuotteisiin
Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR
Putki
Määrä Yksikköhinta Yhteensä
117,25000 €17,25 €
3010,63767 €319,13 €
1209,18892 €1 102,67 €
5108,12865 €4 145,61 €
1 0207,74224 €7 897,08 €
Valmistajien vakiokoko
Huomaa: DigiKeyn lisäarvopalveluista johtuen pakkaustyyppi voi muuttua, kun tuotetta ostetaan vakiokokoa pienempiä määriä.
Yksikköhinta ilman ALV-veroa:17,25000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:21,64875 €