Name: AIMZH120R020M1TXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMZH120R020M1TXKSA1-ND
Price: 24.66075 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

AIMZH120R020M1TXKSA1
DigiKeyn tuotenumero	448-AIMZH120R020M1TXKSA1-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	AIMZH120R020M1TXKSA1
Kuvaus	SIC_DISCRETE
Valmistajan vakio toimitusaika	26 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1200 V 100A (Tc) 429W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO247-4-11
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	-
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	SiCFET (piikarbidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	1200 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	18V, 20V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	25mOhm @ 43A, 20V
Vgs(th) (maks.) @ Id	5,1V @ 13,7mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	82 nC @ 20 V
Vgs (maks.)	+23V, -5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	2667 pF @ 800 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	429W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	PG-TO247-4-11
Pakkaus / kotelo	TO-247-4