Name: IMYH200R075M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMYH200R075M1HXKSA1-ND
Price: 20.84555 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IMYH200R075M1HXKSA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IMYH200R075M1HXKSA1-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IMYH200R075M1HXKSA1
Kuvaus	SIC DISCRETE
Valmistajan vakio toimitusaika	26 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 2000 V 34A (Tc) 267W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO247-4-U04
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IMYH200R075M1HXKSA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	CoolSiC™
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	SiCFET (piikarbidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	2000 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	34A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	15V, 18V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	98mOhm @ 13A, 18V
Vgs(th) (maks.) @ Id	5,5V @ 7,7mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	64 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+20V, -7V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	267W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	PG-TO247-4-U04
Pakkaus / kotelo	TO-247-4
Päätuotenumero	IMYH200