Name: IMYH200R100M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMYH200R100M1HXKSA1-ND
Price: 22.841 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IMYH200R100M1HXKSA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IMYH200R100M1HXKSA1-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IMYH200R100M1HXKSA1
Kuvaus	SIC DISCRETE
Valmistajan vakio toimitusaika	54 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 2000 V 26A (Tc) 217W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO247-4-U04
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IMYH200R100M1HXKSA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 131mOhm @ 10A, 18V
Valm. Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) @ Id 5,5V @ 6mA
Sarja CoolSiC™	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 55 nC @ 18 V
Pakkaustapa Putki	Vgs (maks.) +20V, -7V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 217W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Teknologia SiCFET (piikarbidi)	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 2000 V	Valmistajan laitepakkaus PG-TO247-4-U04
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 26A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-247-4
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 15V, 18V	Päätuotenumero IMYH200