IMW65R039M1HXKSA1
Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IMW65R039M1HXKSA1

DigiKeyn tuotenumero
448-IMW65R039M1HXKSA1-ND
Valmistaja
Valmistajan tuotenumero
IMW65R039M1HXKSA1
Kuvaus
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Valmistajan vakio toimitusaika
23 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus
N-kanavatyyppi 650 V 46A (Tc) 176W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO247-3-41
Tekniset tiedot
 Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit
IMW65R039M1HXKSA1 -mallit
Tuotteen ominaisuudet
Tyyppi
Kuvaus
Valitse kaikki
Kategoria
Valm.
Sarja
Pakkaustapa
Putki
Osan tila
Aktiivinen
FET-tyyppi
Teknologia
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)
650 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)
18V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
50mOhm @ 25A, 18V
Vgs(th) (maks.) @ Id
5,7V @ 7,5mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs
41 nC @ 18 V
Vgs (maks.)
+20V, -2V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds
1393 pF @ 400 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (maks.)
176W (Tc)
Toimintalämpötila
-55°C – 175°C (TJ)
Luokka
-
Hyväksyntä
-
Asennustyyppi
Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus
PG-TO247-3-41
Pakkaus / kotelo
Päätuotenumero
Tuotteita koskevat kysymykset ja vastaukset

Katso, mitä suunnittelijat kysyvät, tee kysymyksiä ja auta toisia DigiKeyn suunnitteluyhteisössä

Varastossa: 119
Tutustu myös saapuviin tuotteisiin
Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR
Putki
Määrä Yksikköhinta Yhteensä
18,20000 €8,20 €
304,84100 €145,23 €
1204,10417 €492,50 €
5103,86237 €1 969,81 €
Valmistajien vakiokoko
Huomaa: DigiKeyn lisäarvopalveluista johtuen pakkaustyyppi voi muuttua, kun tuotetta ostetaan vakiokokoa pienempiä määriä.
Yksikköhinta ilman ALV-veroa:8,20000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:10,29100 €