Asetukset
Nopea toimitus
Ilmainen toimitus
Incoterms
Maksutyypit
Markkinapaikan tuote
Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.
IMW65R030M1HXKSA1 | |
|---|---|
DigiKeyn tuotenumero | 448-IMW65R030M1HXKSA1-ND |
Valmistaja | |
Valmistajan tuotenumero | IMW65R030M1HXKSA1 |
Kuvaus | SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 |
Valmistajan vakio toimitusaika | 23 viikkoa |
Asiakkaan referenssi | |
Tarkka kuvaus | N-kanavatyyppi 650 V 58A (Tc) 197W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO247-3-41 |
Tekniset tiedot | Tekniset tiedot |
EDA/CAD-mallit | IMW65R030M1HXKSA1 -mallit |
Tuotteen ominaisuudet
Tyyppi | Kuvaus | Valitse kaikki |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Valm. | ||
Sarja | ||
Pakkaustapa | Putki | |
Osan tila | Aktiivinen | |
FET-tyyppi | ||
Teknologia | ||
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) | 650 V | |
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C | ||
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) | 18V | |
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 29,5A, 18V | |
Vgs(th) (maks.) @ Id | 5,7V @ 8,8mA | |
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs | 48 nC @ 18 V | |
Vgs (maks.) | +20V, -2V | |
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds | 1643 pF @ 400 V | |
FET-ominaisuus | - | |
Tehohäviö (maks.) | 197W (Tc) | |
Toimintalämpötila | -55°C – 175°C (TJ) | |
Luokka | - | |
Hyväksyntä | - | |
Asennustyyppi | Läpivientiaukko | |
Valmistajan laitepakkaus | PG-TO247-3-41 | |
Pakkaus / kotelo | ||
Päätuotenumero |
Varastossa: 80
Tutustu myös saapuviin tuotteisiin
Määrä
Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR
Putki
| Määrä | Yksikköhinta | Yhteensä |
|---|---|---|
| 1 | 10,07000 € | 10,07 € |
| 30 | 6,05800 € | 181,74 € |
| 120 | 5,17775 € | 621,33 € |
| 510 | 5,12349 € | 2 612,98 € |
| Yksikköhinta ilman ALV-veroa: | 10,07000 € |
|---|---|
| Yksikköhinta ALV-veron kanssa: | 12,63785 € |
LiitännäistuoteNäytä kaikki
4 tuotetta
Saattaisit olla kiinnostunut myös seuraavasta:Näytä kaikki
3 tuotetta
Suomi