Name: BSP297H6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP297H6327XTSA1TR-ND
Price: 1.0291 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

BSP297H6327XTSA1
DigiKeyn tuotenumero	BSP297H6327XTSA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) BSP297H6327XTSA1CT-ND - Cut Tape (CT) BSP297H6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	BSP297H6327XTSA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Valmistajan vakio toimitusaika	10 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 200 V 660mA (Ta) 1,8W (Ta) Kiinnitys pintaan PG-SOT223-4
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	BSP297H6327XTSA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	SIPMOS®
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	200 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	660mA (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	1,8Ohm @ 660mA, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	1,8V @ 400µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	16.1 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	357 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	1,8W (Ta)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-SOT223-4
Pakkaus / kotelo	TO-261-4, TO-261AA
Päätuotenumero	BSP297