Name: G1K1P10TE
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 4822-G1K1P10TE-ND
Price: 0.2939 EUR
Availability: InStock

Uutta DigiKeyllä

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

G1K1P10TE
DigiKeyn tuotenumero	4822-G1K1P10TE-ND
Valmistaja	Goford Semiconductor
Valmistajan tuotenumero	G1K1P10TE
Kuvaus	MOSFET P-CH -100V 24A TO-220-3
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 100 V 24A (Tc) 88W Kiinnitys pintaan TO-220
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Goford Semiconductor
Sarja	Trench
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	P-kanava
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	100 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	24A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	110mOhm @ 15A, 10V
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	65 nC @ -10 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	3300 pF @ -50 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	88W
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	TO-220
Pakkaus / kotelo	TO-220-3