Name: G3F25MT12J-TR
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 1242-G3F25MT12J-TR-ND
Price: 19.03835 EUR
Availability: InStock

Uutta DigiKeyllä

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

G3F25MT12J-TR
DigiKeyn tuotenumero	1242-G3F25MT12J-TR-ND - Rullattu teippi (TR) 1242-G3F25MT12J-TRCT-ND - Cut Tape (CT) 1242-G3F25MT12J-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	GeneSiC Semiconductor
Valmistajan tuotenumero	G3F25MT12J-TR
Kuvaus	1200V 25M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Valmistajan vakio toimitusaika	20 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1200 V 87A (Tc) 362W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-263-7
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	GeneSiC Semiconductor
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	SiC (piikarbidiliitostransistori)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	1200 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	87A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	18V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	34mOhm @ 34A, 18V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4,3V @ 24mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	128 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+22V, -10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	3325 pF @ 800 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	362W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	TO-263-7
Pakkaus / kotelo	TO-263-8, D2PAK (7 jalkaa + juotoskohta), TO-263CA