Name: FDN352AP
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 2156-FDN352AP-ND
Price: 0.22608 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

FDN352AP
DigiKeyn tuotenumero	2156-FDN352AP-ND
Valmistaja	Fairchild Semiconductor
Valmistajan tuotenumero	FDN352AP
Kuvaus	SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 30 V 1,3A (Ta) 500mW (Ta) Kiinnitys pintaan SOT-23-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Fairchild Semiconductor
Sarja	PowerTrench®
Pakkaustapa	Irtotavara
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	P-kanava
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	30 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	1,3A (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	180mOhm @ 1,3A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,5V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	1.9 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±25V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	150 pF @ 15 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	500mW (Ta)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	SOT-23-3
Pakkaus / kotelo	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Päätuotenumero	FDN352