FDG316P Fairchild Semiconductor | Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

FDG316P
DigiKeyn tuotenumero	2156-FDG316P-ND
Valmistaja	Fairchild Semiconductor
Valmistajan tuotenumero	FDG316P
Kuvaus	SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 30 V 1,6A (Ta) 750mW (Ta) Kiinnitys pintaan SC-88 (SC-70-6)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Fairchild Semiconductor
Sarja	PowerTrench®
Pakkaustapa	Irtotavara
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	P-kanava
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	30 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	1,6A (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	190mOhm @ 1,6A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	5 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	165 pF @ 15 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	750mW (Ta)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	SC-88 (SC-70-6)
Pakkaus / kotelo	6-TSSOP, SC-88, SOT-363