Name: DMTH10H010SPSQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H010SPSQ-13TR-ND
Price: 3.37595 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

DMTH10H010SPSQ-13
DigiKeyn tuotenumero	31-DMTH10H010SPSQ-13TR-ND - Rullattu teippi (TR) 31-DMTH10H010SPSQ-13CT-ND - Cut Tape (CT) 31-DMTH10H010SPSQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Diodes Incorporated
Valmistajan tuotenumero	DMTH10H010SPSQ-13
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Valmistajan vakio toimitusaika	40 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 11,8A (Ta), 100A (Tc) 1,5W (Ta), 166W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerDI5060-8
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 56.4 nC @ 10 V
Valm. Diodes Incorporated	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 4468 pF @ 50 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 1,5W (Ta), 166W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Luokka Autoteollisuus
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 100 V	Hyväksyntä AEC-Q101
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 11,8A (Ta), 100A (Tc)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 6V, 10V	Valmistajan laitepakkaus PowerDI5060-8
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 8,8mOhm @ 13A, 10V	Pakkaus / kotelo 8-PowerTDFN
Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 250µA	Päätuotenumero DMTH10