Name: DMP65H9D0HSS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMP65H9D0HSS-13TR-ND
Price: 1.8072 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

DMP65H9D0HSS-13
DigiKeyn tuotenumero	31-DMP65H9D0HSS-13TR-ND - Rullattu teippi (TR) 31-DMP65H9D0HSS-13CT-ND - Cut Tape (CT) 31-DMP65H9D0HSS-13DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Diodes Incorporated
Valmistajan tuotenumero	DMP65H9D0HSS-13
Kuvaus	MOSFET BVDSS: 501V~650V SO-8 T&R
Valmistajan vakio toimitusaika	20 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 600 V 300mA (Ta) 1,25W (Ta) Kiinnitys pintaan 8-SO
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Diodes Incorporated
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	P-kanava
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	600 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	300mA (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	9Ohm @ 300mA, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	17 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	740 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	1,25W (Ta)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	8-SO
Pakkaus / kotelo	8-SOIC (0,154", 3,90mm leveys)