Name: BS107PSTZ
Brand: Diodes Incorporated
SKU: BS107PSTZTB-ND
Price: 1.01655 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

BS107PSTZ
DigiKeyn tuotenumero	BS107PSTZDICT-ND - Cut Tape (CT) BS107PSTZTB-ND - Teippi ja rasia (TB)
Valmistaja	Diodes Incorporated
Valmistajan tuotenumero	BS107PSTZ
Kuvaus	MOSFET N-CH 200V 120MA E-LINE
Valmistajan vakio toimitusaika	12 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 200 V 120mA (Ta) 500mW (Ta) Läpivientiaukko E-Line (TO-92-yhteensopiva)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Diodes Incorporated
Sarja	-
Pakkaustapa	Cut Tape (CT) Teippi ja rasia (TB)
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	200 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	120mA (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	2,6V, 5V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	30Ohm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (maks.) @ Id	-
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	85 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	500mW (Ta)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	E-Line (TO-92-yhteensopiva)
Pakkaus / kotelo	E-Line-3
Päätuotenumero	BS107