VideoLibrary

What is CCPAK? (Surface-mount packaging for high-power FETs) - Quick Learning

Leaning on Nexperia's expertise in copper clip technology, Ding Yandoc (Package Architect and Technical Manager) explains all you need to know about CCPAK and why it is the logical next step in high-voltage power FET packaging.

9/12/2022 4:51:11 PM

Part List

KuvaManufacturer Part NumberKuvausSaatavana oleva määrä HintaNäytä tiedot
GAN041-650WSB/SOT429/TO-247GAN041-650WSBQGAN041-650WSB/SOT429/TO-247304 - Immediate$14.92Näytä tiedot
GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3GAN063-650WSAQGANFET N-CH 650V 34.5A TO247-30 - Immediate$24.07Näytä tiedot

Related Videos

Driving Nexperia cascode GaN FETs with Broadcom Optocouplers
Driving Nexperia cascode GaN FETs with Broadcom Optocouplers

Publish Date: 2025-04-15

Switching evaluation of fast GaN devices
Switching evaluation of fast GaN devices

Publish Date: 2025-04-14

Paralleling GaN FETs
Paralleling GaN FETs

Publish Date: 2025-04-14

Related Product Highlight

Cascode GaN FETs Nexperia cascode GaN FETs have high power density, performance, and switching frequency for power system applications such as Industry 4.0 and renewable energy.
GaN FETs Nexperia's GaN FETs enable smaller, faster, cooler, lighter systems, with lower overall system cost.

Related Articles and Blogs

Leveän energiaraon puolijohteet parantavat datakeskusten tehokkuutta Koska datakeskuksilla on valtavat energiavaatimukset, tarvitaan tehohäviöitä vähentäviä sekä tehokkuutta ja lämmönhallintaa parantavia tehoratkaisuja.
Leveän energiaraon puolijohteet muuttavat kuljetusalaa Koko liikennesektori on käymässä läpi valtavaa murrosta, johon kuuluu uusia ratkaisuja sähkö- ja hybridiautoja ja puhtaampaa joukkoliikennettä varten.
Miksi ja miten GaN-kanavatransistoreita käytetään korkean hyötysuhteen korkeajännitteisissä hakkuriteholähteissä Hyötysuhteen ja tehotiheyden parantaminen korkeajännitteisissä hakkuriteholähteissä tuntemalla galliumnitridikanavatransistoreiden periaatteet ja oikea käyttötapa.