Nexperia

Cascode GaN FETs

Nexperia GaN FETs offer performance, efficiency, and reliability of power systems

Image of Nexperia’s Cascode GaN FETsNexperia cascode GaN FETs offer high power density, performance, and switching frequency. The very high electron mobility of GaN enables the creation of devices with low on-resistance and exceptionally high switching frequency capability, which are vital in next-generation power systems, such as Industry 4.0 and renewable energy applications. The unique cascode GaN FET solution facilitates easy driving of devices using well-known Si MOSFET gate drivers. They deliver unmatched high junction temperature [Tj (max) = +175°C], design freedom, and improved reliability of power systems.

Cascode GaN FETs

KuvaManufacturer Part NumberKuvausSaatavana oleva määrä HintaNäytä tiedot
GAN041-650WSB/SOT429/TO-247GAN041-650WSBQGAN041-650WSB/SOT429/TO-247304 - Immediate$14.92Näytä tiedot
GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3GAN063-650WSAQGANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3536 - Immediate$24.07Näytä tiedot
650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (GAN039-650NBBHP650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (847 - Immediate$15.15Näytä tiedot
GAN111-650WSB/SOT429/TO-247GAN111-650WSBQGAN111-650WSB/SOT429/TO-247151 - Immediate$11.89Näytä tiedot
650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (GAN039-650NTBZ650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (0 - Immediate$10.21Näytä tiedot
GAN CASCODE FETSGAN039-650NTBJGAN CASCODE FETS723 - Immediate$15.15Näytä tiedot
Published: 2024-09-04

Related Videos

Driving Nexperia cascode GaN FETs with Broadcom Optocouplers
Driving Nexperia cascode GaN FETs with Broadcom Optocouplers

Publish Date: 2025-04-15

Switching evaluation of fast GaN devices
Switching evaluation of fast GaN devices

Publish Date: 2025-04-14

Paralleling GaN FETs
Paralleling GaN FETs

Publish Date: 2025-04-14

Related Product Highlight

GaN FETs Nexperia's GaN FETs enable smaller, faster, cooler, lighter systems, with lower overall system cost.

Related Articles and Blogs

Leveän energiaraon puolijohteet parantavat datakeskusten tehokkuutta Koska datakeskuksilla on valtavat energiavaatimukset, tarvitaan tehohäviöitä vähentäviä sekä tehokkuutta ja lämmönhallintaa parantavia tehoratkaisuja.
Leveän energiaraon puolijohteet muuttavat kuljetusalaa Koko liikennesektori on käymässä läpi valtavaa murrosta, johon kuuluu uusia ratkaisuja sähkö- ja hybridiautoja ja puhtaampaa joukkoliikennettä varten.
Miksi ja miten GaN-kanavatransistoreita käytetään korkean hyötysuhteen korkeajännitteisissä hakkuriteholähteissä Hyötysuhteen ja tehotiheyden parantaminen korkeajännitteisissä hakkuriteholähteissä tuntemalla galliumnitridikanavatransistoreiden periaatteet ja oikea käyttötapa.