Name: SQS850EN-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQS850EN-T1_GE3TR-ND
Price: 1.69425 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SQS850EN-T1_GE3
DigiKeyn tuotenumero	SQS850EN-T1_GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SQS850EN-T1_GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SQS850EN-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SQS850EN-T1_GE3
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 12A PPAK1212-8
Valmistajan vakio toimitusaika	22 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 60 V 12A (Tc) 33W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerPAK® 1212-8
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Vishay Siliconix
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	60 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	12A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	21,5mOhm @ 6,1A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,5V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	41 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	2021 pF @ 30 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	33W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PowerPAK® 1212-8
Pakkaus / kotelo	PowerPAK® 1212-8
Päätuotenumero	SQS850