Name: SQJ423EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ423EP-T1_GE3TR-ND
Price: 1.79465 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SQJ423EP-T1_GE3
DigiKeyn tuotenumero	SQJ423EP-T1_GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SQJ423EP-T1_GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SQJ423EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SQJ423EP-T1_GE3
Kuvaus	MOSFET P-CH 40V 55A PPAK SO-8
Valmistajan vakio toimitusaika	27 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 40 V 55A (Tc) 68W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerPAK® SO-8
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Vishay Siliconix
Sarja	TrenchFET®
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	P-kanava
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	40 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	55A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	14mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,5V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	130 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	4500 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	68W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PowerPAK® SO-8
Pakkaus / kotelo	PowerPAK® SO-8
Päätuotenumero	SQJ423