Name: SIZ926DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIZ926DT-T1-GE3TR-ND
Price: 1.9829 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SIZ926DT-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	SIZ926DT-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SIZ926DT-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SIZ926DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SIZ926DT-T1-GE3
Kuvaus	MOSFET 2N-CH 25V 40A 8POWERPAIR
Valmistajan vakio toimitusaika	22 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	MOSFETit - ryhmät 25V 40A (Tc), 60A (Tc) 20,2W, 40W Kiinnitys pintaan 8-PowerPair® (6x5)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET FET, MOSFET-ryhmät
Valmistaja	Vishay Siliconix
Sarja	TrenchFET® Gen IV
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Konfiguraatio	2 N-kanavaa (kaksinkertainen)
FET-ominaisuus	-
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	25V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	40A (Tc), 60A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	4,8mOhm @ 5A, 10V, 2,2mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,2V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	19nC @ 10V, 41nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	925pF @ 10V, 2150pF @ 10V
Teho - maksimi	20,2W, 40W
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Pakkaus / kotelo	8-PowerWDFN
Valmistajan laitepakkaus	8-PowerPair® (6x5)
Päätuotenumero	SIZ926