FET-, MOSFET-ryhmät

Tulokset : 5 567
Valmistaja
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedBruckewellCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEMO Inc.EPCEPC Space, LLC
Sarja
-*AlphaDFN™AlphaMOSAlphaSGT™CC, CoolSiC™CAB425M12XM3CoolMOS™CoolSiC™CoolSiC™+DeepGATE™, STripFET™ H6
Pakkaustapa
Cut Tape (CT)Digi-Reel®IrtotavaraKaukaloKoteloPutkiRullattu teippi (TR)
Tuotteen status
AktiivinenEi uusiin suunnitelmiinValmistus lopetettu Digi-KeylläVanhentunutViimeinen ostohetki
Teknologia
-GaNFET (galliumnitridi)MOSFET (metallioksidi)Piikarbidi (SiC)
Konfiguraatio
1 N-kanava, 1 P-kanava2 N- ja 2 P-kanavaa (kokosilta)2 N- ja 2 P-kanavaa2 N- ja 2 P-kanavaa, kohdistettu pari2 N-kanava, yhteisnielu2 N-kanavaa (Kaksinkertainen) kohdistettu pari2 N-kanavaa (kaksinkertainen paluumuutin)2 N-kanavaa (kaksinkertainen) asymmetrinen2 N-kanavaa (kaksinkertainen) yhteinen lähde2 N-kanavaa (kaksinkertainen) yhteinen nielu2 N-kanavaa (kaksinkertainen)2 N-kanavaa (kaksinkertainen), Schottky
FET-ominaisuus
-GaNFET (galliumnitridi)LogiikkatasoporttiLogiikkatasoportti, 0,9V ohjainLogiikkatasoportti, 1,2V ohjainLogiikkatasoportti, 1,5V ohjainLogiikkatasoportti, 1,8V ohjainLogiikkatasoportti, 10V:n ohjainLogiikkatasoportti, 2,5V ohjainLogiikkatasoportti, 4,5V ohjainLogiikkatasoportti, 4V ohjainLogiikkatasoportti, 5V ohjainPiikarbidi (SiC)Standardi
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)
5,5V8V10V10,6V12V12V, 20V14V15V16V20V20V, 12V20V, 8V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C
12mA, 3mA40mA40mA, 16mA50mA (Ta)80mA100mA (Ta)100mA100mA, 200mA100mA, 5,5A115mA (Ta)115mA (Ta), 130mA (Ta)115mA (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
0,46mOhm @ 160A, 12V0,762mOhm @ 160A, 12V765µOhm @ 160A, 12V, 580µOhm @ 160A, 12V765µOhm @ 160A, 12V, 710µOhm @ 160A, 12V0,8mOhm @ 1200A, 10V0,88mOhm @ 160A, 14V, 0,71mOhm @ 160A, 14V0,95mOhm @ 30A, 10V0,95mOhm @ 8A, 4,5V0,99mOhm @ 80A, 10V, 1,35mOhm @ 80A, 10V1,039mOhm @ 160A, 12V, 762µOhm @ 160A, 12V1,2mOhm @ 10A, 10V1,2mOhm @ 800A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id
10mV @ 10µA10mV @ 1µA10mV @ 20µA20mV @ 10µA20mV @ 1µA20mV @ 20µA180mV @ 1µA200mV @ 2,8A, 200mV @ 1,9A220mV @ 1µA360mV @ 1µA380mV @ 1µA400mV @ 250µA (min.)
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs
0,4pC @ 4,5V, 7,3nC @ 4,5V0,45pC @ 4,5V0,16nC @ 5V, 0,044nC @ 5V0,22nC @ 5V, 0,044nC @ 5V0,26nC @ 2,5V280pC @ 4,5V0,28nC @ 4,5V0,28nC @ 4,5V, 0,3nC @ 4,5V0,3nC @ 4,5V0,3nC @ 4,5V, 0,28nC @ 4,5V0,304nC @ 4,5V0,31nC @ 4,5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds
2,5pF @ 5V3pF @ 5V5pF @ 3V6pF @ 3V6,2pF @ 10V6,6pF @ 10V7pF @ 10V7pF @ 3V7,1pF @ 10V7,4pF @ 10V7,5pF @ 10V8,5pF @ 3V
Teho - maksimi
490µW500µW (Ta)10mW20mW120mW125mW (Ta)125mW140mW150mW (Ta)150mW180mW200mW (Ta)
Toimintalämpötila
-65°C – 150°C (TJ)-55°C – 125°C-55°C – 150°C (TA)-55°C – 150°C (TJ)-55°C – 150°C (Tc)-55°C – 150°C-55°C – 155°C (TJ)-55°C – 175°C (TA)-55°C – 175°C (TJ)-55°C – 175°C-50°C – 150°C (TJ)-40°C – 125°C (TA)
Luokka
-AutoteollisuusSotilasteollisuus
Hyväksyntä
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/597MIL-PRF-19500/599
Asennustyyppi
-Kiinnitys pintaanKiinnitys pintaan, Helposti tarkistettava reunaLäpivientiaukkoRunkokiinnitys
Pakkaus / kotelo
4-SMD, ei johtoa4-UFBGA, WLBGA4-UFBGA, WLCSP4-UFLGA4-VDFN4-VFDFN avoin juotoskohta4-XBGA, 4-FCBGA4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA, DSBGA4-XFBGA, FCBGA4-XFBGA, WLBGA
Valmistajan laitepakkaus
4 piirin LGA (1,59x1,59)4-AlphaDFN (0,97x0,97)4-AlphaDFN (1,2x1,2)4-AlphaDFN (1,9x1,3)4-BGA (1x1)4-CSP (0,8x0,8)4-CSP (1,11x1,11)4-CSP (1,1x1,1)4-CSP (1,29x1,29)4-CSP (1,74x1,74)4-DFN (1,5x1,5)4-DFN (1,7x1,7)
Varastointivaihtoehdot
Ympäristövaihtoehdot
Media
MARKKINAPAIKAN TUOTE
5 567Tulokset

Näytetään
/ 5 567
Vertaa
Valm. osa #
Saatavana oleva määrä
Hinta
Sarja
Pakkaus
Tuotteen status
Teknologia
Konfiguraatio
FET-ominaisuus
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
Vgs(th) (maks.) @ Id
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds
Teho - maksimi
Toimintalämpötila
Luokka
Hyväksyntä
Asennustyyppi
Pakkaus / kotelo
Valmistajan laitepakkaus
266 930
Varastossa
1 : 0,22000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,03672 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenMOSFET (metallioksidi)2 N-kanavaa (kaksinkertainen)-60V300mA1,5Ohm @ 100mA, 10V2,1V @ 250µA0,6nC @ 4,5V40pF @ 10V285mW150°C (TJ)--Kiinnitys pintaan6-TSSOP, SC-88, SOT-363US6
SOT 363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
229 481
Varastossa
1 : 0,31000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,05627 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenMOSFET (metallioksidi)2 N-kanavaa (kaksinkertainen)-60V230mA7,5Ohm @ 50mA, 5V2V @ 250µA-50pF @ 25V310mW-55°C – 150°C (TJ)--Kiinnitys pintaan6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363
Pkg 5880
SI1034CX-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Vishay Siliconix
46 157
Varastossa
1 : 0,32000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,08668 €
Rullattu teippi (TR)
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenMOSFET (metallioksidi)2 N-kanavaa (kaksinkertainen)Logiikkatasoportti20V610mA (Ta)396mOhm @ 500mA, 4,5V1V @ 250µA2nC @ 8V43pF @ 10V220mW-55°C – 150°C (TJ)--Kiinnitys pintaanSOT-563, SOT-666SC-89 (SOT-563F)
SOT-363 PKG
BSD840NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Infineon Technologies
158 659
Varastossa
1 : 0,33000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,08885 €
Rullattu teippi (TR)
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenMOSFET (metallioksidi)2 N-kanavaa (kaksinkertainen)Logiikkatasoportti20V880mA400mOhm @ 880mA, 2,5V750mV @ 1,6µA0,26nC @ 2,5V78pF @ 10V500mW-55°C – 150°C (TJ)--Kiinnitys pintaan6-VSSOP, SC-88, SOT-363PG-SOT363-PO
SOT 363
BSS84DW-7-F
MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT363
Diodes Incorporated
91 705
Varastossa
1 : 0,33000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,08986 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenMOSFET (metallioksidi)2 P-kanavaa (kaksinkertainen)Logiikkatasoportti50V130mA10Ohm @ 100mA, 5V2V @ 1mA-45pF @ 25V300mW-55°C – 150°C (TJ)--Kiinnitys pintaan6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363
SOT-363
NTJD5121NT1G
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
onsemi
91 244
Varastossa
1 : 0,33000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,05488 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenMOSFET (metallioksidi)2 N-kanavaa (kaksinkertainen)Logiikkatasoportti60V295mA1,6Ohm @ 500mA, 10V2,5V @ 250µA0,9nC @ 4,5V26pF @ 20V250mW-55°C – 150°C (TJ)--Kiinnitys pintaan6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-88/SC70-6/SOT-363
7 467
Varastossa
1 : 0,33000 €
Cut Tape (CT)
4 000 : 0,05895 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenMOSFET (metallioksidi)N- ja P-kanavaLogiikkatasoportti, 1,5V ohjain20V800mA (Ta)235mOhm @ 800mA, 4,5V, 390mOhm @ 800mA, 4,5V1V @ 1mA1nC @ 10V55pF @ 10V, 100pF @ 10V150mW (Ta)150°C--Kiinnitys pintaanSOT-563, SOT-666ES6
SOT-363
NTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
onsemi
4 238
Varastossa
1 : 0,33000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,08813 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenMOSFET (metallioksidi)2 N-kanavaa (kaksinkertainen)-30V250mA1,5Ohm @ 10mA, 4V1,5V @ 100µA1,3nC @ 5V33pF @ 5V272mW-55°C – 150°C (TJ)--Kiinnitys pintaan6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-88/SC70-6/SOT-363
UMT6
UM6K33NTN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
860 464
Varastossa
1 : 0,34000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,07436 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenMOSFET (metallioksidi)2 N-kanavaa (kaksinkertainen)Logiikkatasoportti, 1,2V ohjain50V200mA2,2Ohm @ 200mA, 4,5V1V @ 1mA-25pF @ 10V120mW150°C (TJ)--Kiinnitys pintaan6-TSSOP, SC-88, SOT-363UMT6
403 284
Varastossa
1 : 0,34000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,06073 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenMOSFET (metallioksidi)2 N-kanavaa (kaksinkertainen)Logiikkatasoportti, 1,5V ohjain20V250mA (Ta)2,2Ohm @ 100mA, 4,5V1V @ 1mA-12pF @ 10V300mW150°C--Kiinnitys pintaan6-TSSOP, SC-88, SOT-363US6
8 SO
DMP3085LSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
Diodes Incorporated
251 802
Varastossa
1 : 0,34000 €
Cut Tape (CT)
2 500 : 0,09102 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenMOSFET (metallioksidi)2 P-kanavaa (kaksinkertainen)Logiikkatasoportti30V3,9A70mOhm @ 5,3A, 10V3V @ 250µA11nC @ 10V563pF @ 25V1,1W-55°C – 150°C (TJ)--Kiinnitys pintaan8-SOIC (0,154", 3,90mm leveys)8-SO
SOT363
2N7002PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
30 234
Varastossa
1 : 0,34000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,06086 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Ei uusiin suunnitelmiinMOSFET (metallioksidi)2 N-kanavaa (kaksinkertainen)Logiikkatasoportti60V320mA1,6Ohm @ 500mA, 10V2,4V @ 250µA0,8nC @ 4,5V50pF @ 10V420mW150°C (TJ)AutoteollisuusAEC-Q100Kiinnitys pintaan6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
MMDT2907A-TP
2N7002DW-TP
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
Micro Commercial Co
1 224 900
Varastossa
1 : 0,35000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,06252 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenMOSFET (metallioksidi)2 N-kanavaa (kaksinkertainen)-60V115mA7,5Ohm @ 50mA, 5V2V @ 250µA-50pF @ 25V200mW-55°C – 150°C (TJ)--Kiinnitys pintaan6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363
EMT6_EMT6 PKg
EM6K34T2CR
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Rohm Semiconductor
101 762
Varastossa
1 : 0,35000 €
Cut Tape (CT)
8 000 : 0,07431 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenMOSFET (metallioksidi)2 N-kanavaa (kaksinkertainen)Logiikkatasoportti, 0,9V ohjain50V200mA2,2Ohm @ 200mA, 4,5V800mV @ 1mA-26pF @ 10V120mW150°C (TJ)--Kiinnitys pintaanSOT-563, SOT-666EMT6
TSOT-26
DMG6602SVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Diodes Incorporated
94 237
Varastossa
3 594 000
Tehdas
1 : 0,35000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,07700 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Ei uusiin suunnitelmiinMOSFET (metallioksidi)N- ja P-kanavaLogiikkatasoportti, 4,5V ohjain30V3,4A, 2,8A60mOhm @ 3,1A, 10V2,3V @ 250µA13nC @ 10V400pF @ 15V840mW-55°C – 150°C (TJ)--Kiinnitys pintaanSOT-23-6, litteä, TSOT-23-6TSOT-26
SOT-563-6_463A
NTZD3155CT1G
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
onsemi
65 823
Varastossa
1 : 0,36000 €
Cut Tape (CT)
4 000 : 0,09651 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenMOSFET (metallioksidi)N- ja P-kanavaLogiikkatasoportti20V540mA, 430mA550mOhm @ 540mA, 4,5V1V @ 250µA2,5nC @ 4,5V150pF @ 16V250mW-55°C – 150°C (TJ)--Kiinnitys pintaanSOT-563, SOT-666SOT-563
TSOT-26
DMG6601LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Diodes Incorporated
61 614
Varastossa
366 000
Tehdas
1 : 0,36000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,07816 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenMOSFET (metallioksidi)N- ja P-kanavaLogiikkatasoportti30V3,8A, 2,5A55mOhm @ 3,4A, 10V1,5V @ 250µA12,3nC @ 10V422pF @ 15V850mW-55°C – 150°C (TJ)--Kiinnitys pintaanSOT-23-6, litteä, TSOT-23-6TSOT-26
SOT 563
DMC2400UV-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Diodes Incorporated
183 948
Varastossa
2 415 000
Tehdas
1 : 0,37000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,06573 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenMOSFET (metallioksidi)N- ja P-kanavaLogiikkatasoportti20V1,03A, 700mA480mOhm @ 200mA, 5V900mV @ 250µA0,5nC @ 4,5V37,1pF @ 10V450mW-55°C – 150°C (TJ)--Kiinnitys pintaanSOT-563, SOT-666SOT-563
SOT 563
2N7002VC-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
Diodes Incorporated
71 377
Varastossa
495 000
Tehdas
1 : 0,37000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,09868 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenMOSFET (metallioksidi)2 N-kanavaa (kaksinkertainen)-60V280mA7,5Ohm @ 50mA, 5V2,5V @ 250µA-50pF @ 25V150mW-55°C – 150°C (TJ)--Kiinnitys pintaanSOT-563, SOT-666SOT-563
SOT 563
DMG1026UV-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT563
Diodes Incorporated
42 978
Varastossa
453 000
Tehdas
1 : 0,37000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,09868 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenMOSFET (metallioksidi)2 N-kanavaa (kaksinkertainen)Logiikkatasoportti60V410mA1,8Ohm @ 500mA, 10V1,8V @ 250µA0,45nC @ 10V32pF @ 25V580mW-55°C – 150°C (TJ)--Kiinnitys pintaanSOT-563, SOT-666SOT-563
6DFN
PMDXB550UNEZ
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN
Nexperia USA Inc.
38 758
Varastossa
1 : 0,37000 €
Cut Tape (CT)
5 000 : 0,09464 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenMOSFET (metallioksidi)2 N-kanavaa (kaksinkertainen)-30V590mA670mOhm @ 590mA, 4,5V950mV @ 250µA1,05nC @ 4,5V30,3pF @ 15V285mW-55°C – 150°C (TJ)--Kiinnitys pintaan6-XFDFN avoin juotoskohtaDFN1010B-6
U-DFN2020-6
DMN3032LFDB-7
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN
Diodes Incorporated
35 266
Varastossa
126 000
Tehdas
1 : 0,37000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,12445 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenMOSFET (metallioksidi)2 N-kanavaa (kaksinkertainen)-30V6,2A30mOhm @ 5,8A, 10V2V @ 250µA10,6nC @ 10V500pF @ 15V1W-55°C – 150°C (TJ)--Kiinnitys pintaan6-UDFN avoin juotoskohtaU-DFN2020-6 (tyyppi B)
SC-70-6
SI1926DL-T1-E3
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6
Vishay Siliconix
17 031
Varastossa
1 : 0,37000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,12255 €
Rullattu teippi (TR)
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenMOSFET (metallioksidi)2 N-kanavaa (kaksinkertainen)Logiikkatasoportti60V370mA1,4Ohm @ 340mA, 10V2,5V @ 250µA1,4nC @ 10V18,5pF @ 30V510mW-55°C – 150°C (TJ)--Kiinnitys pintaan6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6
MCM2301-TP
MCM3400A-TP
MOSFET 2N-CH 30V 5A 6DFN
Micro Commercial Co
7 909
Varastossa
1 : 0,37000 €
Cut Tape (CT)
3 000 : 0,09853 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenMOSFET (metallioksidi)2 N-kanavaa-30V5A32mOhm @ 5,8A, 10V1,5V @ 250µA-1155pF @ 15V1,4W-55°C – 150°C (TJ)--Kiinnitys pintaan6-VDFN avoin juotoskohtaDFN2020-6L
97 117
Varastossa
1 : 0,37000 €
Cut Tape (CT)
4 000 : 0,06788 €
Rullattu teippi (TR)
-
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
AktiivinenMOSFET (metallioksidi)2 N-kanavaa (kaksinkertainen)Logiikkatasoportti30V100mA4Ohm @ 10mA, 4V1,5V @ 100µA-8,5pF @ 3V150mW150°C (TJ)--Kiinnitys pintaanSOT-563, SOT-666ES6
Näytetään
/ 5 567

FET-, MOSFET-ryhmät


Kanavatransistorit (FET) ovat elektroniikkakomponentteja, jotka käyttävät sähkövirran ohjaamiseen sähkökenttää. Hilaterminaaliin kohdistuva jännite muuttaa nielu- ja lähdeterminaalien välistä johtavuutta. FET:it tunnetaan myös unipolaaritransistoreina, koska niissä käytetään vain yksittäistä varauksenkuljettajatyyppiä. Toisin sanoen FET:it käyttävät varauksenkuljettajina elektroneja tai aukkoja, mutta ei molempia. Kanavatransistorien tuloimpedanssi on matalilla taajuuksilla yleensä erittäin korkea.