Name: SIZ200DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIZ200DT-T1-GE3TR-ND
Price: 1.6817 EUR
Availability: OutOfStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SIZ200DT-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	SIZ200DT-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SIZ200DT-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SIZ200DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SIZ200DT-T1-GE3
Kuvaus	MOSFET 2N-CH 30V 22A 8POWERPAIR
Valmistajan vakio toimitusaika	28 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	MOSFETit - ryhmät 30V 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc) 4,3W (Ta), 33W (Tc) Kiinnitys pintaan 8-PowerPair® (3,3x3,3)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SIZ200DT-T1-GE3 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET FET, MOSFET-ryhmät
Valmistaja	Vishay Siliconix
Sarja	TrenchFET® Gen IV
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Konfiguraatio	2 N-kanavaa (kaksinkertainen)
FET-ominaisuus	-
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	30V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	5,5mOhm @ 10A, 10V, 5,8mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,4V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	28nC @ 10V, 30nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
Teho - maksimi	4,3W (Ta), 33W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Pakkaus / kotelo	8-PowerWDFN
Valmistajan laitepakkaus	8-PowerPair® (3,3x3,3)
Päätuotenumero	SIZ200