Name: SIS932EDN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS932EDN-T1-GE3TR-ND
Price: 0.99145 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SIS932EDN-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	SIS932EDN-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SIS932EDN-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SIS932EDN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SIS932EDN-T1-GE3
Kuvaus	MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212
Valmistajan vakio toimitusaika	27 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	MOSFETit - ryhmät 30V 6A (Tc) 2,6W (Ta), 23W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerPAK® 1212-8, kaksi
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SIS932EDN-T1-GE3 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET FET, MOSFET-ryhmät
Valmistaja	Vishay Siliconix
Sarja	TrenchFET®
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Konfiguraatio	2 N-kanavaa (kaksinkertainen)
FET-ominaisuus	-
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	30V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	6A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	22mOhm @ 10A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) @ Id	1,4V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	14nC @ 4,5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1000pF @ 15V
Teho - maksimi	2,6W (Ta), 23W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Pakkaus / kotelo	PowerPAK® 1212-8, kaksi
Valmistajan laitepakkaus	PowerPAK® 1212-8, kaksi
Päätuotenumero	SIS932

Tuotteita koskevat kysymykset ja vastaukset

Katso, mitä suunnittelijat kysyvät, tee kysymyksiä ja auta toisia DigiKeyn suunnitteluyhteisössä

Varastossa: 244

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.

Rullattu teippi (TR)