Name: SIS890DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS890DN-T1-GE3TR-ND
Price: 2.1084 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SIS890DN-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	SIS890DN-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SIS890DN-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SIS890DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SIS890DN-T1-GE3
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Valmistajan vakio toimitusaika	33 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 30A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerPAK® 1212-8
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SIS890DN-T1-GE3 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Vishay Siliconix
Sarja	TrenchFET®
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	100 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	30A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	23,5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	802 pF @ 50 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	3,7W (Ta), 52W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PowerPAK® 1212-8
Pakkaus / kotelo	PowerPAK® 1212-8
Päätuotenumero	SIS890