Name: SIHU5N80AE-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHU5N80AE-GE3-ND
Price: 1.86995 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SIHU5N80AE-GE3
DigiKeyn tuotenumero	742-SIHU5N80AE-GE3-ND
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SIHU5N80AE-GE3
Kuvaus	MOSFET N-CH 800V 4.4A TO251AA
Valmistajan vakio toimitusaika	25 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 800 V 4,4A (Tc) 62,5W (Tc) Läpivientiaukko TO-251AA
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Vishay Siliconix
Sarja	-
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	800 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	4,4A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	1,35Ohm @ 1,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	16.5 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	321 pF @ 100 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	62,5W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	TO-251AA
Pakkaus / kotelo	TO-251-3 lyhyet jalat, IPAK, TO-251AA
Päätuotenumero	SIHU5

Tuotteita koskevat kysymykset ja vastaukset

Katso, mitä suunnittelijat kysyvät, tee kysymyksiä ja auta toisia DigiKeyn suunnitteluyhteisössä

Varastossa: 2 870

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Putki