Name: SI8457DB-T1-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8457DB-T1-E1TR-ND
Price: 0.9287 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SI8457DB-T1-E1
DigiKeyn tuotenumero	SI8457DB-T1-E1TR-ND - Rullattu teippi (TR) SI8457DB-T1-E1CT-ND - Cut Tape (CT) SI8457DB-T1-E1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SI8457DB-T1-E1
Kuvaus	MOSFET P-CH 12V 4MICRO FOOT
Valmistajan vakio toimitusaika	27 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 12 V 6,5A (Ta) 1,1W (Ta), 2,7W (Tc) Kiinnitys pintaan 4-MICRO FOOT® (1,6x1,6)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SI8457DB-T1-E1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Vishay Siliconix
Sarja	TrenchFET®
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	P-kanava
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	12 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	6,5A (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	1,8V, 4,5V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	19mOhm @ 3A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) @ Id	900mV @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	93 nC @ 8 V
Vgs (maks.)	±8V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	2900 pF @ 6 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	1,1W (Ta), 2,7W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	4-MICRO FOOT® (1,6x1,6)
Pakkaus / kotelo	4-UFBGA
Päätuotenumero	SI8457

Tuotteita koskevat kysymykset ja vastaukset

Katso, mitä suunnittelijat kysyvät, tee kysymyksiä ja auta toisia DigiKeyn suunnitteluyhteisössä

Varastossa: 4 338

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.

Rullattu teippi (TR)