Name: SI7613DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7613DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.4056 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SI7613DN-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	SI7613DN-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SI7613DN-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SI7613DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SI7613DN-T1-GE3
Kuvaus	MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Valmistajan vakio toimitusaika	19 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 20 V 35A (Tc) 3,8W (Ta), 52,1W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerPAK® 1212-8
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SI7613DN-T1-GE3 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Vishay Siliconix
Sarja	TrenchFET®
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	P-kanava
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	20 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	35A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	8,7mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,2V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	87 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±16V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	2620 pF @ 10 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	3,8W (Ta), 52,1W (Tc)
Toimintalämpötila	-50°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PowerPAK® 1212-8
Pakkaus / kotelo	PowerPAK® 1212-8
Päätuotenumero	SI7613