SI4946BEY-T1-GE3 Vishay Siliconix | Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SI4946BEY-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	SI4946BEY-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SI4946BEY-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SI4946BEY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SI4946BEY-T1-GE3
Kuvaus	MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	MOSFETit - ryhmät 60V 6,5A 3,7W Kiinnitys pintaan 8-SOIC
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET FET, MOSFET-ryhmät
Valmistaja	Vishay Siliconix
Sarja	TrenchFET®
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Vanhentunut
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Konfiguraatio	2 N-kanavaa (kaksinkertainen)
FET-ominaisuus	Logiikkatasoportti
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	60V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	6,5A
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	41mOhm @ 5,3A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	25nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	840pF @ 30V
Teho - maksimi	3,7W
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Pakkaus / kotelo	8-SOIC (0,154", 3,90mm leveys)
Valmistajan laitepakkaus	8-SOIC
Päätuotenumero	SI4946