Name: XK1R9F10QB,LXGQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XK1R9F10QBLXGQTR-ND
Price: 5.03255 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

XK1R9F10QB,LXGQ
DigiKeyn tuotenumero	264-XK1R9F10QBLXGQTR-ND - Rullattu teippi (TR) 264-XK1R9F10QBLXGQCT-ND - Cut Tape (CT) 264-XK1R9F10QBLXGQDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	XK1R9F10QB,LXGQ
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Valmistajan vakio toimitusaika	32 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 160A (Ta) 375W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-220SM(W)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	XK1R9F10QB,LXGQ -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Toshiba Semiconductor and Storage
Sarja	U-MOSX-H
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	100 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	160A (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	6V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	1,92mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3,5V @ 1mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	184 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	11500 pF @ 10 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	375W (Tc)
Toimintalämpötila	175°C
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	TO-220SM(W)
Pakkaus / kotelo	TO-263-3, D2PAK (2 jalkaa + juotoskohta), TO-263AB
Päätuotenumero	XK1R9F10