Name: TW092V65C,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW092V65CLQTR-ND
Price: 25.61455 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TW092V65C,LQ
DigiKeyn tuotenumero	264-TW092V65CLQTR-ND - Rullattu teippi (TR) 264-TW092V65CLQCT-ND - Cut Tape (CT) 264-TW092V65CLQDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	TW092V65C,LQ
Kuvaus	N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.092 OH
Valmistajan vakio toimitusaika	24 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 27A (Tc) 111W (Tc) Kiinnitys pintaan 4-DFN-EP (8x8)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 5V @ 600µA
Valm. Toshiba Semiconductor and Storage	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 28 nC @ 18 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) +25V, -10V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 873 pF @ 400 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 111W (Tc)
Teknologia SiCFET (piikarbidi)	Toimintalämpötila 175°C
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 650 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 27A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus 4-DFN-EP (8x8)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 18V	Pakkaus / kotelo 4-VSFN avoin juotoskohta
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 136mOhm @ 15A, 18V