Name: TPM1R908QM,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPM1R908QMLQTR-ND
Price: 3.27555 EUR
Availability: InStock

Uusi tuote

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TPM1R908QM,LQ
DigiKeyn tuotenumero	264-TPM1R908QMLQTR-ND - Rullattu teippi (TR) 264-TPM1R908QMLQCT-ND - Cut Tape (CT) 264-TPM1R908QMLQDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	TPM1R908QM,LQ
Kuvaus	N-CH MOSFET, 80 V, 0.0019 @10V,
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 80 V 26A (Ta), 238A (Tc) 3W (Ta), 250W (Tc) Kiinnitys pintaan 8-SOP Advance (4,9x5,75)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 1,9mOhm @ 70A, 10V
Valm. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) (maks.) @ Id 3,5V @ 1,2mA
Sarja U-MOSX-H	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 108 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 10500 pF @ 40 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 3W (Ta), 250W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila 175°C
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 80 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 26A (Ta), 238A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus 8-SOP Advance (4,9x5,75)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 6V, 10V	Pakkaus / kotelo 8-PowerTDFN