Name: TW027U65C,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW027U65CRQTR-ND
Price: 45.41845 EUR
Availability: InStock

Uusi tuote

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TW027U65C,RQ
DigiKeyn tuotenumero	264-TW027U65CRQTR-ND - Rullattu teippi (TR) 264-TW027U65CRQCT-ND - Cut Tape (CT) 264-TW027U65CRQDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	TW027U65C,RQ
Kuvaus	N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
Valmistajan vakio toimitusaika	24 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 57A (Tc) 156W (Tc) Kiinnitys pintaan TOLL
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 5V @ 3mA
Valm. Toshiba Semiconductor and Storage	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 65 nC @ 18 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) +25V, -10V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 2288 pF @ 400 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 156W (Tc)
Teknologia SiCFET (piikarbidi)	Toimintalämpötila 175°C
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 650 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 57A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus TOLL
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 18V	Pakkaus / kotelo 8-PowerSFN
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 40mOhm @ 29A, 18V