Name: TRS2E65F,S1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TRS2E65FS1Q-ND
Price: 1.9578 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TRS2E65F,S1Q
DigiKeyn tuotenumero	264-TRS2E65FS1Q-ND
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	TRS2E65F,S1Q
Kuvaus	DIODE SIL CARB 650V 2A TO220-2L
Valmistajan vakio toimitusaika	24 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	Diodit 650 V 2A Läpivientiaukko TO-220-2L
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Diodit Tasasuuntaajat Yksittäiset diodit
Valm.	Toshiba Semiconductor and Storage
Sarja	-
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
Teknologia	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Jännite - käänteinen DC (Vr) (maks.)	650 V
Virta - keskimääräinen tasasuunnattu (Io)	2A
Jännite - myötävirta (Vf) (maks.) @ If	1.6 V @ 2 A
Nopeus	Ei elpymisaikaa > 500mA (Io)
Käänteinen elpymisaika (trr)	0 ns
Virta - käänteinen vuoto @ Vr	20 µA @ 650 V
Kapasitanssi @ Vr, F	8,7pF @ 650V, 1MHz
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Pakkaus / kotelo	TO-220-2
Valmistajan laitepakkaus	TO-220-2L
Toimintalämpötila - liitos	175°C (maks.)
Päätuotenumero	TRS2E65