Name: TRS2E65H,S1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TRS2E65H,S1Q-ND
Price: 2.6355 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TRS2E65H,S1Q
DigiKeyn tuotenumero	264-TRS2E65H,S1Q-ND
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	TRS2E65H,S1Q
Kuvaus	DIODE SIL CARBIDE 650V 2A TO220L
Valmistajan vakio toimitusaika	24 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	Diodit 650 V 2A Läpivientiaukko TO-220-2L
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Diodit Tasasuuntaajat Yksittäiset diodit
Valm.	Toshiba Semiconductor and Storage
Sarja	-
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
Teknologia	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Jännite - käänteinen DC (Vr) (maks.)	650 V
Virta - keskimääräinen tasasuunnattu (Io)	2A
Jännite - myötävirta (Vf) (maks.) @ If	1.35 V @ 2 A
Nopeus	Ei elpymisaikaa > 500mA (Io)
Käänteinen elpymisaika (trr)	0 ns
Virta - käänteinen vuoto @ Vr	40 µA @ 650 V
Kapasitanssi @ Vr, F	135pF @ 1V, 1MHz
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Pakkaus / kotelo	TO-220-2
Valmistajan laitepakkaus	TO-220-2L
Toimintalämpötila - liitos	175°C

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Varastossa: 270

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Putki