Name: TPW5200FNH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPW5200FNH,L1QTR-ND
Price: 3.95325 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TPW5200FNH,L1Q
DigiKeyn tuotenumero	264-TPW5200FNH,L1QTR-ND - Rullattu teippi (TR) 264-TPW5200FNH,L1QCT-ND - Cut Tape (CT) 264-TPW5200FNH,L1QDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	TPW5200FNH,L1Q
Kuvaus	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 250 V 26A (Tc) 800mW (Ta), 142W (Tc) Kiinnitys pintaan 8-DSOP Advance
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Toshiba Semiconductor and Storage
Sarja	U-MOSVIII-H
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	250 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	26A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	52mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 1mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	2200 pF @ 100 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	800mW (Ta), 142W (Tc)
Toimintalämpötila	150°C
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	8-DSOP Advance
Pakkaus / kotelo	8-PowerVDFN