Name: TPM7R10CQ5,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPM7R10CQ5LQTR-ND
Price: 4.05365 EUR
Availability: InStock

Uusi tuote

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TPM7R10CQ5,LQ
DigiKeyn tuotenumero	264-TPM7R10CQ5LQTR-ND - Rullattu teippi (TR) 264-TPM7R10CQ5LQCT-ND - Cut Tape (CT) 264-TPM7R10CQ5LQDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	TPM7R10CQ5,LQ
Kuvaus	N-CH MOSFET, 150 V, 0.0071 @10V,
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 150 V 13A (Ta), 120A (Tc) 3W (Ta), 250W (Tc) Kiinnitys pintaan 8-SOP Advance (4,9x5,75)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Toshiba Semiconductor and Storage
Sarja	U-MOSX-H
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	150 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	13A (Ta), 120A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	8V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	7,1mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4,5V @ 1,2mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	57 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	6800 pF @ 75 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	3W (Ta), 250W (Tc)
Toimintalämpötila	175°C
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	8-SOP Advance (4,9x5,75)
Pakkaus / kotelo	8-PowerTDFN