Name: TK62J60W,S1VQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK62J60WS1VQ-ND
Price: 18.03435 EUR
Availability: OutOfStock

TK62J60W,S1VQ on loppunut, mutta siitä voi tehdä jälkitilauksen.

Saatavana olevat korvaavat osat:

Samankaltainen

onsemi

Varastossa: 1 348

Yksikköhinta : 16,57000 €

Samankaltainen

onsemi

Varastossa: 348

Yksikköhinta : 9,84000 €

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TK62J60W,S1VQ
DigiKeyn tuotenumero	TK62J60WS1VQ-ND
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	TK62J60W,S1VQ
Kuvaus	MOSFET N-CH 600V 61.8A TO3P
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 600 V 61,8A (Ta) 400W (Tc) Läpivientiaukko TO-3P(N)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	TK62J60W,S1VQ -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Toshiba Semiconductor and Storage
Sarja	DTMOSIV
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	600 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	61,8A (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	38mOhm @ 30,9A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3,7V @ 3,1mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	180 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	6500 pF @ 300 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	400W (Tc)
Toimintalämpötila	150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	TO-3P(N)
Pakkaus / kotelo	TO-3P-3, SC-65-3
Päätuotenumero	TK62J60