Name: TK4R9E15Q5,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK4R9E15Q5,S1X-ND
Price: 6.46325 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TK4R9E15Q5,S1X
DigiKeyn tuotenumero	264-TK4R9E15Q5,S1X-ND
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	TK4R9E15Q5,S1X
Kuvaus	150V UMOS10-HSD TO-220 4.9MOHM
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 150 V 120A (Tc) 300W (Tc) Läpivientiaukko TO-220
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Toshiba Semiconductor and Storage
Sarja	U-MOSX-H
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	150 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	120A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	8V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	4,9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4,5V @ 2,2mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	96 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	7820 pF @ 75 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	300W (Tc)
Toimintalämpötila	175°C
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	TO-220
Pakkaus / kotelo	TO-220-3