Name: TK10A80W,S4X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK10A80W,S4X-ND
Price: 4.27955 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TK10A80W,S4X
DigiKeyn tuotenumero	264-TK10A80W,S4X-ND
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	TK10A80W,S4X
Kuvaus	MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220SIS
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 800 V 9,5A (Ta) 40W (Tc) Läpivientiaukko TO-220SIS
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	TK10A80W,S4X -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Toshiba Semiconductor and Storage
Sarja	DTMOSIV
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	800 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	9,5A (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	550mOhm @ 4,8A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 450µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	19 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1150 pF @ 300 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	40W (Tc)
Toimintalämpötila	150°C
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	TO-220SIS
Pakkaus / kotelo	TO-220-3, täysi pakkaus
Päätuotenumero	TK10A80