Name: TJ50S06M3L,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ50S06M3LLXHQTR-ND
Price: 2.1586 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TJ50S06M3L,LXHQ
DigiKeyn tuotenumero	264-TJ50S06M3LLXHQTR-ND - Rullattu teippi (TR) 264-TJ50S06M3LLXHQCT-ND - Cut Tape (CT) 264-TJ50S06M3LLXHQDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	TJ50S06M3L,LXHQ
Kuvaus	MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
Valmistajan vakio toimitusaika	32 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 60 V 50A (Ta) 90W (Tc) Kiinnitys pintaan DPAK+
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	TJ50S06M3L,LXHQ -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Toshiba Semiconductor and Storage
Sarja	U-MOSVI
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	P-kanava
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	60 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	50A (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	6V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	13,8mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3V @ 1mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	124 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	+10V, -20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	6290 pF @ 10 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	90W (Tc)
Toimintalämpötila	175°C
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	DPAK+
Pakkaus / kotelo	TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
Päätuotenumero	TJ50S06