SSM6K211FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage | Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina

SSM6K211FE,LF on vanhentunut, eikä sitä enää valmisteta.

Saatavana olevat korvaavat osat:

MFR Recommended

Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa: 0

Yksikköhinta : 0,00000 €

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SSM6K211FE,LF
DigiKeyn tuotenumero	SSM6K211FELFTR-ND - Rullattu teippi (TR) SSM6K211FELFCT-ND - Cut Tape (CT) SSM6K211FELFDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	SSM6K211FE,LF
Kuvaus	MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 20 V 3,2A (Ta) 500mW (Ta) Kiinnitys pintaan ES6
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SSM6K211FE,LF -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Toshiba Semiconductor and Storage
Sarja	U-MOSIII
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Vanhentunut
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	20 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	3,2A (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	1,5V, 4,5V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	47mOhm @ 2A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) @ Id	1V @ 1mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	10.8 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	510 pF @ 10 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	500mW (Ta)
Toimintalämpötila	150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	ES6
Pakkaus / kotelo	SOT-563, SOT-666
Päätuotenumero	SSM6K211