Name: DMTH6002LPS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMTH6002LPS-13DITR-ND
Price: 3.2379 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

DMTH6002LPS-13
DigiKeyn tuotenumero	DMTH6002LPS-13DITR-ND - Rullattu teippi (TR) DMTH6002LPS-13DICT-ND - Cut Tape (CT) DMTH6002LPS-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Diodes Incorporated
Valmistajan tuotenumero	DMTH6002LPS-13
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
Valmistajan vakio toimitusaika	40 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 60 V 100A (Tc) 167W Kiinnitys pintaan PowerDI5060-8 (tyyppi K)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	DMTH6002LPS-13 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 3V @ 250µA
Valm. Diodes Incorporated	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 130.8 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 6555 pF @ 30 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 167W
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 60 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 100A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus PowerDI5060-8 (tyyppi K)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 6V, 10V	Pakkaus / kotelo 8-PowerTDFN
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 2mOhm @ 50A, 10V	Päätuotenumero DMTH6002