N-kanavatyyppi 650 V 40A (Tc) 935W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerFlat™ (8x8) HV
Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SCTL90N65G2V

DigiKeyn tuotenumero
497-SCTL90N65G2VTR-ND - Rullattu teippi (TR)
497-SCTL90N65G2VCT-ND - Cut Tape (CT)
497-SCTL90N65G2VDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja
STMicroelectronics
Valmistajan tuotenumero
SCTL90N65G2V
Kuvaus
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Valmistajan vakio toimitusaika
18 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus
N-kanavatyyppi 650 V 40A (Tc) 935W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerFlat™ (8x8) HV
Tekniset tiedot
 Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit
SCTL90N65G2V -mallit
Tuotteen ominaisuudet
Tyyppi
Kuvaus
Valitse kaikki
Kategoria
Valm.
STMicroelectronics
Sarja
-
Pakkaustapa
Rullattu teippi (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Osan tila
Aktiivinen
FET-tyyppi
N-kanavatyyppi
Teknologia
SiCFET (piikarbidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)
650 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)
18V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
24mOhm @ 40A, 18V
Vgs(th) (maks.) @ Id
5V @ 1mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs
157 nC @ 18 V
Vgs (maks.)
+22V, -10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds
3380 pF @ 400 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (maks.)
935W (Tc)
Toimintalämpötila
-55°C – 175°C (TJ)
Luokka
-
Hyväksyntä
-
Asennustyyppi
Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus
PowerFlat™ (8x8) HV
Pakkaus / kotelo
4-PowerVDFN
Tuotteita koskevat kysymykset ja vastaukset

Katso, mitä suunnittelijat kysyvät, tee kysymyksiä ja auta toisia DigiKeyn suunnitteluyhteisössä

Varastossa: 2 847
Tutustu myös saapuviin tuotteisiin
Määrä
Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Määrä Yksikköhinta Yhteensä
124,97000 €24,97 €
1019,10100 €191,01 €
* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.
Rullattu teippi (TR)
Määrä Yksikköhinta Yhteensä
3 00015,60607 €46 818,21 €
Valmistajien vakiokoko
Yksikköhinta ilman ALV-veroa:24,97000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:31,33735 €
Saattaisit olla kiinnostunut myös seuraavasta:Näytä kaikki
7 tuotetta
SCTL35N65G2V

SCTL35N65G2V

TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV

STMicroelectronics

13,72000 €
TW031V65C,LQ

TW031V65C,LQ

N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.031 OH

Toshiba Semiconductor and Storage

32,67000 €
NTMT045N065SC1

NTMT045N065SC1

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3

onsemi

10,73000 €
IMTA65R033M2HXTMA1

IMTA65R033M2HXTMA1

SILICON CARBIDE MOSFET

Infineon Technologies

8,72000 €
TW054V65C,LQ

TW054V65C,LQ

N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.054 OH

Toshiba Semiconductor and Storage

23,49000 €
FL06100G

FL06100G

SICFET N-CH 650V 22A PDFN8x8

fastSiC

7,00000 €
IMTA65R020M2HXTMA1

IMTA65R020M2HXTMA1

SILICON CARBIDE MOSFET

Infineon Technologies

11,65000 €