Name: S1M1000170D
Brand: SMC Diode Solutions
SKU: 1655-S1M1000170D-ND
Price: 4.1164 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

S1M1000170D
DigiKeyn tuotenumero	1655-S1M1000170D-ND
Valmistaja	SMC Diode Solutions
Valmistajan tuotenumero	S1M1000170D
Kuvaus	MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1700V
Valmistajan vakio toimitusaika	12 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1700 V 5,2A (Tc) 81W (Tc) Läpivientiaukko TO-247AD
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	SMC Diode Solutions
Sarja	-
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	SiCFET (piikarbidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	1700 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	5,2A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	20V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	1,3Ohm @ 2A, 20V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 500µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	10 nC @ 20 V
Vgs (maks.)	+25V, -10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	160 pF @ 1000 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	81W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	TO-247AD
Pakkaus / kotelo	TO-247-3